收藏本站
DMN5L06K
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
M
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
??
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN5L06K
Document number: DS30929 Rev. 8 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
March 2014
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN5L06TK-7 MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
DMN5L06VA-7 MOSFET N-CH DUAL SOT-563
DMN5L06VAK-7 MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563
DMN5L06WK-7 MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3
DMN601DMK-7 MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
DMN601DWK-7 MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
DMN601K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
DMN601TK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
相关代理商/技术参数
DMN5L06K-7-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:DMN5L06K Series N-Channel 50 V 2 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3
DMN5L06T 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06T-7 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN5L06TK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06TK-7 功能描述:MOSFET .15W 50V .28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN5L06V 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06V-7 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN5L06VA 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR